2020-06-22 07:42丨国产芯片
飞笛讯，6月20日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。据紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。
存储器在半导体领域中单项市场规模最大，且行业集中度极高。根据WSTS统计，存储器占集成电路市场的36.1%，高于逻辑、模拟和微处理器份额。DRAM是存储器最大细分市场，占比为53%，NAND Flash占44%，Nor Flash仅占1%。DRAM领域呈现寡头垄断格局，三星、海力士、镁美光三家占比高达95%，存储器国产化迫在眉睫。
近日，基于二季度数据，SEMI（国际半导体产业协会）调整2021年全球晶圆厂设备开支规模的预测值，由此前预估的657亿美元上调至创纪录的677亿美元，预计同比增长率为24%。其中，存储器工厂的设备开支规模最大，预计达到300亿美元。存储器产业从趋势上看，DRAM和NAND均处于技术快速突破阶段，预计下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产品将会量产。国产内存颗粒生产的内存模组产品已经开始上市销售，显示国内存储芯片产业正处于0到1的突破阶段。
东吴证券王平阳指出，目前我国在存储产业链的设计、制造、设备、封测等多个环节逐步突破，以长江存储、合肥长鑫为代表的本土存储器厂商在产品技术和市场拓展方面的不断突破，本土主流存储器产业链投资机遇凸显。
国产芯片指数：...